搜索结果: 136-150 共查到“计算机科学技术 存储器”相关记录160条 . 查询时间(0.259 秒)
该实用新型的主要结构中的电极与纳米量子点分别组成两个串联隧道结。通过一个脉冲电压Vp使得n个电子隧道进入纳米量子点，实现电学“写”。通过电流检测纳米量子点上所存储电子的多少，实现电学“读”。该实用新型结构简单，可采用金属材料制作，从而突破了对半导体工艺的依赖，以其为基本单元可制作超高密度、超快速度、超低功耗的大规模存储器。适用于集成电路芯片、计算机CPU、计算机内存、军用、工业和民用电子仪器仪表等...
高速RAMBUS动态随机存储器模组
存储器 存储器模组 服务器 计算机
2008/11/20
高速Rambus动态随机存储器模组主要用于高端计算机和服务器方面。由于采用了8层板结构，所以考虑了层厚、阻抗的接受范围、阻抗控制，以及由于IC采用μBGA封装带来的焊盘尺寸控制等诸多问题。该型存储器模组在设计过程中采用了散热胶和金属散热片的组合散热结构，很好的解决了Rambus芯片在高频条件下的散热问题，保证了长时间工作的稳定性。 主要性能指标：最大时钟工作频率：300MHz/400MHz；最大数...
嵌入式Flash存储器工艺模块
Flash存储器 嵌入式模块
2008/11/20
该项目组成功开发出具有完全自主知识产权的1P/4M 0.18微米CMOS逻辑兼容嵌入式SONOS快闪存储器集成工艺，并开发出4M位SONOS存储器IP硬核验证芯片THESM040M。该IP核芯片具有多区块划分功能，电路面积为2.4×2.0mm^2，工作电源电压为1.8V/3.3V，读取速度＜40ns，典型字节编程速度为8V/10ms，块擦除速度为8V/3ms，擦写疲劳可靠性＞105擦写循环。该课题...
一种新型磁随机存取存储器（MRAM）
存储单元；磁随机存储器
2008/11/20
存储器作为存储单元的磁性隧道结由长椭圆形改为100纳米尺度的圆环形磁性隧道结，在当环状自由层相对环状钉扎层的磁矩都是沿顺时针排列或都是沿逆时针排列时，属于完好的平行状态，隧道结电阻呈低电阻值；而当环状自由层相对环状钉扎层的磁矩一个是沿顺时针排列而另一个是沿逆时针排列时，属于反平行状态，隧道结电阻呈高电阻值。该存储器还增加了磁性隧道结结构的组合方式，可以采用或不采用反铁磁钉扎层，并且直接采用通过纳...
IC卡（存储器）芯片UV胶封装大生产技术研究
IC卡 胶封装 生产技术
2008/11/18
本专题是将（4～8）英寸硅片减薄至（0.2mm），载带上芯片焊接后须在2～3分钟快速固化，金丝球焊保证低弧度0.13mm ，UV胶封装后模块厚度≤0.58mm，封胶面积＜48.9平方毫米。模块技术指标符合ISO7816，经得起一定强度的扭、弯力，滴胶温度、速率、针阀流量、固化时间及强度等达到最佳参数，保证产品的质量和可靠性，有利于提高现代化管理水平和人民生活质量，前景可观。
高Tc铁电薄膜取向控制生长技术及铁电存储器原型器件
高Tc铁电薄膜 控制生长 铁电存储器 原型器件
2008/11/18
该成果利用脉冲激光沉积方法(PLD)在衬底上生长高Tc铁电薄膜，生长的铁电薄膜主要为Bi_3TiNbO_9(BTN)和Bi_3TiTaO_9(BTT)。在薄膜的生长过程中外加一个与衬底表面垂直的静电场E，生长温度低于Tc。该成果提供了一种高Tc铁电薄膜取向控制生长技术，采用该技术得到铁电存储器原型器件，其剩余极化较大，抗疲劳性好，具有较好的实用前景。
快闪存储器（Flash Memory）IP核开发
IP核 快闪存储器 开发
2008/11/18
该项目主要研究内容为嵌入式Flash Memory IP软/硬核及其生成器技术。该项目已完成，现正在采用该技术设计开发军用密码ASIC电路，规模为7万门，内嵌 2K Flash Memory。技术完全成熟后，准备开发内含8K-64K的DSP、CPU及其他ASIC电路。该项目已获得了部分成果，有适合嵌入式0.5um Flash Cell结构设计、工艺流程、IP硬核与 Verilog描述，电泵电路设计...
支持存储器无冲突访问的全定制芯片实现理论与技术
存储器 芯片 硬件
2008/11/18
该研究主要分为两个部分：算法研究；实现技术研究。在算法研究方面，该研究主要围绕着五种存储器无冲突访问算法进行，包括对该算法性质的研究。可证ω(x)、ξ(x)、ω′(x)、ξ′(x)、ω(ξ(x))、ξ(ω(x))构成了传递闭包。在实现技术研究方面，通过分析所需支持的存储器无冲突访问的十个调整函数，然后串联构成一个完整的芯片。技术指标：支持五种存储器无冲突访问模式，包括矩阵的行、列、广义对角线，连续...
一种可擦写的全光高速存储器和全光包交换技术
全光缓存器 存储器 光包交换
2008/11/18
该项目研制出两种全光缓存器：分别是以SOA作为非线性元件和以光纤作为非线性元件的双环耦合全光缓存器；都采用了以3×3平行排列耦合器为基础的双环对称结构，具有结构紧凑、读写方便等优点；缓存圈数超过32圈，缓存时间超过1ms，速率2.5Gb/s，接近国际先进水平。同时研制了一种包交换实验网络：提出了全光弹性分组环的实现方案和成功地进行了利用上述全光缓存器解决竞争的全光分组交换实验，研制出具有分组交换功...
新一代铁电存储器（FERAM）非接触式IC卡芯片
IC卡芯片 铁电存储器 单片集成电路 非接触IC卡芯片
2008/11/18
采用集成电路芯片的IC卡已广泛应用于银行信用、工商管理、电话通信、身份识别、社会医疗保险、交通收费管理等行业。然而迄今为止，作为IC卡核心的芯片仍主要由国外进口，因此国内市场对具有自主知识产权的IC卡芯片的开发需求尤为迫切。清华大学微电子学研究所自1994年以来就致力于IC卡芯片技术的研究开发，1995年基于已有的EEPROM存储器技术，成功地研制出中国第一张从芯片设计、生产到卡片制作的完全国产化...
该项目针对目前国际上铁电存储技术研究中的关键问题，紧紧围绕应用需求提出有效的解决方案，制作出铁电存储器样管，并将这一技术推向应用。前国际上铁电存储技术中采用的层状铋结构铁电薄膜的主要优点是抗疲劳特性好、漏电流比较小、无铅，但是热处理温度高和极化强度不够理想是主要的瓶颈。而该研究所采用的技术在保留原有优点的前提下，可以做到成本低廉，热处理温度低，极化强度高。这给制作工艺兼容性问题的解决和存储单元模...
易拓科技 GStor安全存储器（ExcelStor GStor Plus安全硬盘、ExcelStor GSMS安全移动硬盘、ExcelStor PF单向式多网过滤卡）
安全硬盘 存储器 硬件加密
2008/9/25
该项目研制了安全硬盘（GStor）。该产品采用硬盘电路板上的特有芯片在硬件级别上实现加密与备份还原功能，数据安全性不是依靠来自外部的软件支持。本产品量产以来，产品主要在国外市场销售使用；国内市场方面，在长城电脑、神州电脑等多家计算机产品上应用，成为安全电脑的重要组成部分，客户反馈其性能稳定，加密还原保护效果良好。
《纳米快报》：美研制可存储三位数值的纳米线存储器
三位数值 纳米线存储器
2008/7/7
传统存储器件仅能存储“0”、“1”两位值，而美国宾夕法尼亚大学研究人员研制的一种以纳米线为基础的新型信息存储器件却能存储“0”、“1”和“2”3位数值。这一创造可能催生新一代高性能信息存储器。相关研究发表在近日《纳米快报》（Nano Letters）在线版上。
宾夕法尼亚大学工程与应用科学系助理教授里奇·阿加沃称：“用纳米线制造电子存储器有很多优点，类似于我们制造的非...