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中国科学院化学研究所专利：并吡咯二酮-酞菁共轭衍生物及其制备方法与应用
中国科学院化学研究所 专利 吡咯二酮 酞菁 共轭衍生物
2023/7/11
中国科学院化学研究所专利：并吡咯二酮-酞菁共轭衍生物及其制备方法与应用
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种卟啉-酞菁五联体及其制备方法和应用
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种卟啉-酞菁二连体及其制备方法和应用
中国科学院国家纳米科学中心 专利 卟啉 酞菁 二连体
2023/6/21
中国科学院国家纳米科学中心专利：一种卟啉-酞菁二连体及其制备方法和应用
脂肪醇甲酸酯类酞菁铜配合物的合成、表征及荧光性能
酞菁铜配合物 溶解性 荧光
2009/4/17
报道了四甲酰氯酞菁铜的合成及其与反应得到正丁醇、正戊醇、正己醇、正辛醇、正十二醇5个含脂肪链取代基的酞菁铜衍生物。分别用红外光谱、紫外-可见光谱、元素分析、核磁共振氢谱等方法对这些衍生物进行了结构和取代度的表征，并研究了该系列酞菁铜衍生物在有机溶剂中的溶解性及荧光性能与浓度、取代基的关系。研究结果表明在一般有机溶剂中这些酞菁铜衍生物的溶解性显著提高，荧光强度不随浓度的变化而线性变化、长链要高于短链...
氮杂酞菁铜aza-CuPc的合成与晶体结构
固相法合成 氮杂酞菁铜 同步辐射 晶体结构
2008/8/22
吉林大学集成光电子国家重点实验室, 长春 130012;
吉林大学超分子结构与材料教育部重点实验室, 长春 130012;
大连理工大学三束材料改性国家重点实验室, 大连 116023
收稿日期 2006-2-22 修回日期 网络版发布日期 2006-11-30 接受日期
本文报道在固相条件下合成氮杂酞菁铜原料, 借助同步辐射光源进行单晶结构测试, 通过物理方...
裂解酞菁铁和乙烯制备取向碳纳米管阵列
向碳纳米管阵列 酞菁铁 热化学气相沉积法
2008/6/18
采用热化学气相沉积(TCVD)法裂解酞菁铁(FePc)和乙烯(C2H4)制备出高210 μm的取向碳纳米管阵列(ACNTA). 用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、拉曼光谱和X射线光电子能谱(XPS)对制备的样品进行了表征, 系统研究了反应温度、反应时间、C2H4流量对ACNTA生长的影响. 结果表明, 样品具有高取向性且纯度高. 800 ℃是裂解FePc和C2H4制备ACNTA...
溶剂热法直接合成酞菁铜晶体
溶剂热合成 酞菁铜 单晶 喹啉
2008/6/18
以喹啉为溶剂, 在反应釜中将1,3-二异吲哚、钼酸铵和二水乙酸铜在喹啉中反应, 降至室温后得到长10.5 mm针状的酞菁铜单晶, 最佳的反应条件: 以10 mL喹啉为溶剂, 于270 ℃反应8 h, 产率为51.3%.
铟酞菁/聚甲基丙烯酸甲酯复合物固体光限幅器性能
铟酞菁 固体复合物材料 光限幅性能 聚甲基丙烯酸甲酯
2008/6/10
将在溶液中表现出优良非线性光学和光限幅性能的铟酞菁及其二聚物嵌入到非光学活性的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中, 用传统的旋转涂膜法制备得到具有较高光学质量的复合物薄膜, 用开孔Z-扫描方法在532 nm 处研究了复合物薄膜材料的线性光学和非线性光学性能. 结果表明, 无论是铟酞菁单体还是轴向氧桥联的铟酞菁二聚物, 其PMMA复合材料的光限幅性能均显著优于相应的酞菁分子在溶液中的光限幅性能.
摘要 酞菁化合物即四氮杂四苯 卟啉, 是一类光氧化还原反应的有效敏化剂以及重要的有机半导体和光导体材料。近年来发现酞菁对恶性肿瘤具有荧光定位珍断和光动力治疗作用, 为了探讨水溶性酞菁作为肿瘤光化学珍治药物及光杀菌剂的可能性,作者以邻苯二甲酸为原料合成了一系列不溶性酞菁, 并报道了它们的有关波谱分析数据。
摘要 本文采用分光光度法研究了三磺化酞菁(S3Pc)在微乳液(Triton X-100-壬烷-正戊醇-水)、胶束(Triton X-100)、醇(甲、乙、丙醇)-水体系中的二聚现象。计算了S3Pc的二聚常数Kd。结果表明, S3Pc的Kd随着微乳液、胶束中表面活性剂的浓度的增加而减小; 随着醇-水溶液的羟基摩尔浓度(Mo-h)的增加而增加。
具有不同芳氧基取代酞菁钯聚集行为研究
2007/12/22
摘要 为了研究具有不同芳氧基取代酞菁的聚集行为，合成了5种酞菁如 1,8,15,22- 四(2,4-二氯芳氧基)酞菁钯(Pel);1,8,15,22-四芳氧基酞菁钯(Pc2);1,8,15,22-四 (2,4-二特丁基芳氧基)酞菁钯(Pc3);1,8,15,22-四(2.5-二特丁基芳氧基)酞菁钯 (Pc4)和1,8,15,22-四(2,6-二溴-4-甲基芳氧基)酞菁钯(Pc5).酞菁的聚集行为由...
摘要 以四氰基-1,4-二噻英为原料,分别用无溶剂法和溶剂法合成了平面稠合型网状聚硫杂酞菁铜PCuS~8Pc(A)和(B),经元素分析,热谱,IR, 电子吸收与发射光谱表征.PCuS~8Pc具有光敏性和本征半导体性能,σ~2~9~8~K(A):2.29×10^-^6Ω^-^1 ·cm^-^1,(B):5.83×10^-^6Ω^-^1·cm^-^1