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日本开发新一代内存性能提升技术
日本 新一代 内存性能提升技术
2016/9/20
日本东北大学的研究组开发了基于新一代内存——磁阻式随机存取内存（MRAM）提升读写性能的技术。读写信息所需的磁性隧道结（MTJ）元件的输出大约提高到了以前的2倍（200毫伏）。研究组在元件构成材料组合方面反复研究，实现了薄而均一的层叠技法，有望对MRAM产业化所需的容量和高集成化做出贡献。