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中国科学院上海应用物理研究所专利：一种可进行热化学气相沉积的原位测试平台
北京大学化学与分子科学学院刘忠范、彭海琳课题组在Chem. Rev.和Adv. Mater.发文介绍石墨烯化学气相沉积制备方法（图）
北京大学化学与分子科学学院 刘忠范 彭海琳 Chem. Rev. Adv. Mater. 石墨烯 化学气相 沉积制备方法
2018/10/18
近十年来，北京大学化学与分子科学学院刘忠范院士课题组和彭海琳教授课题组在石墨烯的化学气相沉积制备和应用领域取得一系列重要进展。针对高品质石墨烯薄膜的CVD制备与具体应用，课题组建立和发展了石墨烯单晶和薄膜的结构精确调控的多种CVD生长方法，并率先实现了4英寸无褶皱石墨烯单晶晶圆、大面积石墨烯薄膜的连续批量制备和绿色无损转移，研制了超级石墨烯玻璃、旋转双层石墨烯光电器件和单晶石墨烯PN结光电探测器件...
碳纳米管阵列的气相沉积制备及场发射特性
碳纳米管 气相沉积 场发射 屏蔽效应
2009/12/28
运用酞菁铁热解法气相沉积制备了碳纳米管阵列.所得碳纳米管呈多壁结构.单根碳纳米管的平均直径约为25 nm，长度约4～5 μm，且具有很好的准直性.研究了碳纳米管阵列的平面场发射特性，相应的开启电压和阈值电压分别为1.28和2.3 V•μm－1，表明碳纳米管具有很强的场发射能力.利用场发射显微镜观察了碳纳米管阵列的场发射像，发现碳纳米管阵列的场发射主要集中在样品薄膜的边缘部位.这是由于碳...
描述了用于进行超高真空化学气相沉积（UHVCVD）研究的一实验装置，并讨论氧钛、砷化镓、铑和铁薄膜在硅单晶表面上的UHVCVD及其原位表征．还简单地探讨了UHVCVD在制备模型催化剂中的应用．
化学气相沉积法合成高结晶度的三元系Cd1-xZnxS纳米线
Cd1-xZnxS 纳米线 化学气相沉积
2009/11/30
以硫化锌、硫化镉和活性碳粉作为反应物, 利用化学气相沉积方法成功合成了单晶Cd1-xZnxS纳米线. 为了解产物的结构、形貌、组分、微结构以及声子振动模式, 对样品进行了扫描电镜、透射电镜、X射线衍射、能谱分析以及拉曼光谱分析. 分析显示合成的纳米线为六方铅锌矿结构, 生长方向沿着[210]方向, 长度均为10 μm, 直径在80-100 nm之间, x的值约为0.2. 拉曼光谱分析显示产物的拉曼...
以三甲基氯硅烷 ((CH3)3SiCl)为改性剂, 采用化学气相沉积法对 HZSM-5 沸石外表面进行修饰, 再通过控制后处理抽空温度, 制得两亲性沸石样品. 在沉积过程中, 改性剂与沸石外表面末端硅羟基作用形成亲油性基团, 使得样品主要呈现出亲油性; 经 423~523 K 抽空处理后, 沉积的 (CH3)3Si 基团发生 Si–C 键断裂而脱附出 1~2 个甲基, 样品表现出两亲性能. ...