搜索结果: 1-7 共查到“计算机工程 中国科学院上海微系统与信息技术研究所”相关记录7条 . 查询时间(1.183 秒)
当今，电脑系统采用层次化存储架构：缓存、内存和闪存。离CPU越近，对存储器存储速度需求越高，如内存的速度为纳秒级别，而缓存则需要皮秒级别。作为下一代存储器的有力竞争者，相变存储器的速度决定了其应用领域，而相变存储器速度主要由相变材料的结晶速度（写速度）所决定。研究表明，相变存储器的热稳定性越差，结晶速度越快，而单质锑（Sb）是目前已知热稳定性最差的相变材料，可能具有最快的操作速度。
当今数据生产呈现爆炸式增长，传统的冯·诺依曼计算架构已成为未来继续提升计算系统性能的主要技术障碍。相变随机存取存储器（PCRAM）可以结合存储和计算功能，是突破冯·诺依曼计算构架瓶颈的理想路径选择。它具有非易失性、编程速度快和循环寿命长等优点。然而，PCRAM中相变材料与加热电极之间的接触面积较大，造成相变存储器操作功耗较高，如何进一步降低功耗成为相变存储器未来发展面临的最大挑战之一。缩小加热电极...
2018年12月1日至5日，第64届国际电子器件大会（International Electron Devices Meeting, IEDM）在美国加州旧金山举行，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员宋志棠团队的最新研究成果入选其列（论文题目：High Endurance Phase Change Memory Chip Implemented based on Carbon-doped ...
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所相变存储器课题组针对三维垂直型存储器，从理论上总结了芯片速度受限的原因和偏置方法的相关影响，提出了新型的偏置方法和核心电路，相关成果以研究长文的形式发表在2018年7月的国际超大规模集成电路期刊IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems [vol. 26, no. 7, ...
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所相变存储器课题组在三维存储器设计领域取得进展，研究成果以A Single-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Cross Point PCM为题，发表在IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs上。相变存储器利...
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所相变存储器课题组在三维存储器设计领域取得进展，研究成果以A Single-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Cross Point PCM为题，发表在IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs上。相变存储器利...
中国科学院上海微系统与信息技术研究所国家纳米重大科学研究计划项目“相变存储器规模制造技术关键基础问题研究”课题验收会顺利召开（图）
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 国家纳米重大科学研究计划项目 相变存储器规模制造技术关键基础问题研究 课题验收会
2014/10/10
2014年9月30日，国家纳米重大科学研究计划项目“相变存储器规模制造技术关键基础问题研究”课题结题验收会在项目承担单位中国科学院上海微系统与信息技术研究所（以下简称上海微系统所）召开。中国科学院物理研究所解思深院士、中国科学院上海微系统与信息技术研究所长王曦院士、北京大学薛增泉教授、中国科学院上海高等研究院长封松林研究员、南京大学陈坤基教授、上海市科委基础处长傅国庆、中国科学院前沿科学与教育局技...