搜索结果: 1-6 共查到“化学 Ta2O5”相关记录6条 . 查询时间(0.062 秒)
Ta2O5在Si(100)表面原子层沉积反应机理的密度泛函研究
密度泛函理论 原子层沉积 氧化钽
2010/1/19
采用密度泛函方法研究了以TaCl5和H2O作为前驱体在硅表面原子层沉积(ALD) Ta2O5的初始反应机理. Ta2O5的原子层沉积过程包括两个连续的“半反应”, 即TaCl5和H2O“半反应”. 两个“半反应”都经历了一个相似的吸附中间体反应路径. 通过H钝化和羟基预处理硅表面反应能量的比较发现, TaCl5在羟基预处理硅的表面反应是热力学和动力学都更加有利的反应. 另外, 从能量上看, H2O...
采用热分解法制备了以离子镀TiN膜为基体的IrO2＋Ta2O5涂层电极，通过循环极化曲线并结合扫描电镜、X射线能谱和X射线衍射研究了涂层的析氢电催化性能。结果表明：涂层呈多孔多裂纹的显微结构，制备温度对涂层表面形貌和电催化活性影响很大，X射线衍射的结果表明了TiN基体的存在。420 ℃制备的涂层具.
Ta2O5/Si薄膜界面结构及光催化活性
Ta2O5/Si薄膜 俄歇电子能谱 界面扩散 界面反应 光催化活性
2010/1/25
利用溶胶-凝胶法和旋转镀膜法在单晶Si(110)基底上制备了Ta2O5光催化剂薄膜. 薄膜颗粒的晶粒度和大小随着热处理温度的升高而增加. 利用扫描俄歇电子能谱(AES)的表面成分分析、深度剖析和线形分析技术研究了热处理温度对Ta2O5/Si 样品膜层和基底的界面化学状态和相互作用的影响规律. 研究表明, 在700 ℃以下热处理时, Ta2O5/Si薄膜界面处以扩散作用为主;在800 ℃高温热处理时...
Ti基IrO2＋Ta2O5阳极在H2SO4溶液中的电解时效行为
失效机理 钛阳极 二氧化铱 五氧化二钽
2010/1/28
研究了450 ℃制备所得Ti/70％IrO230％Ta2O5（摩尔分数）高寿命阳极在H2SO4溶液电解过程中电极的物理、化学及电化学性能的时效行为.结果发现，整个电解过程可分为“活化”、“稳定”及“失效”三个阶段.在“活化”及“稳定”区内主要发生电极表面活性氧化物的溶解，涂层中IrO2金红石相的（110）、（101）晶面择优取向随电解时间延长而减弱，而（002）晶面择优增强.但是在“失效区”内，...